因为二极管的反向电流与半导体材料的原子结构有关。反向电流是由PN结内部的少数载流子产生的，而“少子”对温度很敏感。对于锗材料，其原子核***其核外电子的能力比较差，当外界温度升高后，其核外电子便会获得能量而脱离原子核的***，从而成为自由电子。硅材料跟锗材料类似，只是***强一些而已。。压力衰减和真空衰减技术已成为大批量生产测试的支柱。真空和压力衰减测试方法向全世界的制造商提供了针对他们一直以来遇到的泄漏测试挑战的成本效益和易于适用的解决方案。从根本上来说，压力衰减测试是一个简单的测量技术，但辛辛那提测试系统（CTS），开创了新的和创新的方式融入定制的交钥匙系统，提供了超过行业标准的可靠性和可重复性。 CTS超过30年的丰富经验，对我们的客户提供全面的、定制的可立即投入使用的解决方案解决更具挑战性的泄漏检测问题。CTS的优势：当有一个用于新的真空/压力衰减系统的单一可依靠资源是您的主要目标时，CTS区别通过提供广泛的真空/压力仪器，无缝集成到定制的交钥匙系统本身。CTS作为系统集成商所获得的知识促使组织更好的仪器制造商，反之亦然。全面了解我们的工程师在行业内的更佳实践，当涉及到提供强大而可靠的系统解决方案时，CTS具有无可比拟的优势。 CTS的档案都充满了创新和成本效益的解决方案，更具挑战性的真空/压力衰减应用。
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